特許
J-GLOBAL ID：200903037967316993
光半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-245207
公開番号（公開出願番号）：特開平5-060952
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】 光半導体素子を高精度にしかも無調整に位置決めを可能とするとともに、これによって生産性向上を図った光半導体装置を提供すること。【構成】 表面に光導波路2が形成された光導波路基板3と、この光導波路基板3上に装備され光導波路2と光学的に結合する光半導体素子1とを有し、この光半導体素子1の裏面に設けられた電極パターン16と光導波路基板3に設けられた電極パターン16とを金属合金6を介して固定してなる光半導体装置において、光導波路基板3側の電極パターンを、光導波路基板3に形成された凹溝内に形成したこと。
請求項（抜粋）：
表面に光導波路が形成された光導波路基板と、この光導波路基板上に装備され前記光導波路と光学的に結合する光半導体素子とを有し、この光半導体素子の裏面に設けられた電極パターンと前記光導波路基板に設けられた電極パターンとを金属合金を介して固定してなる光半導体装置において、前記光導波路基板側の電極パターンを、前記光導波路基板に形成された凹溝内に形成したことを特徴とする光半導体装置。
IPC (4件)：
G02B 6/42
, G02B 6/12
, H01L 31/0232
, H01S 3/18
