特許

J-GLOBAL ID：200903037968051896

反射器埋め込み半導体材料系及び反射器埋め込み半導体材料の組立方法

発明者： シーユアン・ワン ,  ヨン・チェン ,  スコット・ダブリュー・コージン ,  アール・スコット・ケルン ,  キャリー・シー・コメン ,  マイケル・アール・クレイムス ,  フレッデリック・エイ・キシュ,ジュニア ,  金子 和
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-110091
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330555
出願日： 1999年04月16日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】反射器を含む発光素子用の比較的欠陥のない半導体材料を成長させる。【解決手段】基板(52)上にブラッグ反射器などの反射層(50)を積層し、反射層(50)の上を前記基板(52)まで延びるエピタキシャル横方向成長層(71)で被っている。基板(52)上の成長層(70)は欠陥を多く含むが成長層(71)の欠陥は少ない。

請求項（抜粋）：

材料系に反射器が埋め込まれた低欠陥密度材料を形成するための方法であって、第1の屈折率を有する第1の材料を基板の上に付着させるステップと、第2の屈折率を有する第2の材料を前記第1の材料の上に付着させるステップと、前記第2の材料の上にエピタキシャル横方向成長層を成長させるステップとが含まれている、反射器埋め込み半導体材料の組立方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18 654

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 654