特許
J-GLOBAL ID：200903037970314080

磁界の検出方法

発明者：
豊田 一実

豊田 一実 について


出願人/特許権者：
内橋エステック株式会社

内橋エステック株式会社 について


代理人 (1件)： 松月 美勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-185852
公開番号（公開出願番号）：特開平11-014720
出願日： 1997年06月26日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】零磁歪乃至は負磁歪のアモルファス磁性ワイヤのバイアス磁界作用下でのインピ-ダンス効果を利用して外部磁界を検出する場合、磁界センサの電極にアモルファス磁性エレメントとの溶接が容易な磁性材を使用し、良好なリニア特性を保持しつつ充分に高感度で検出することを可能とする磁界の検出方法を提供することにある。【解決手段】磁界センサの電極2a,2bに磁性材を用い、この磁性電極のバイアス磁界Hb及び外部磁界Hexによる磁性電極の磁化で生じる磁界に応じ、コイル4の発生磁界を調整する。
請求項（抜粋）：
アモルファス磁性エレメントを電極間に溶接し、該エレメントの近傍にコイルを配設した磁界センサのそのエレメントに電流を流し、上記コイルでバイアス磁界を作用させて、外部磁界を上記アモルファス磁性エレメントの両端間電圧の変化から検出する方法において、上記磁界センサの電極に磁性材を用い、上記バイアス磁界及び外部磁界による磁性電極の磁化で生じる磁界に応じ、上記コイルの発生磁界を調整することを特徴とする磁界の検出方法。
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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