特許
J-GLOBAL ID：200903037976461742
自己消弧機能を有する半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-193543
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050406
出願日： 1993年08月04日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：
【要約】【目的】 ゲートトリガ電流の異常を生じることなく、各機能を充分に発揮させ、ターンオフ損失を低減させる自己消弧機能を有する半導体装置を提供する。【構成】 第1導電型エミッタ層3、第2導電型ベース層2、第1導電型ベース層1、第2導電型エミッタ層4の順に積層した4層構造を有し、4層構造の両面が第1及び第2主表面7、8となる半導体基体を備え、半導体基体の第1主表面7側は、第1導電型エミッタ層3が分離した複数のものからなり、複数の第1導電型エミッタ層3間に第2導電型ベース層2が露出形成され、半導体基体の第2主表面8側は、第2導電型エミッタ層4と、第1導電型ベース層1まで達し、第1導電型ベース層1より低抵抗の第1導電型短絡領域5とが交互に露出形成され、第2導電型エミッタ層4の厚さが10〜30μmの範囲内にあり、低抵抗の短絡領域5の厚さが第2導電型エミッタ層4の厚さより20μm以上厚く構成した。
請求項（抜粋）：
第1導電型のエミッタ層、第2導電型のベース層、第1導電型のベース層、第2導電型のエミッタ層の順に積層された4層構造を有し、前記4層構造の両面がそれぞれ第1及び第2主表面となる半導体基体を備え、前記半導体基体の第1主表面側は、第1導電型のエミッタ層が互いに分離された複数の短冊形のもので構成され、これら分離された複数の第1導電型のエミッタ層の間に第2導電型のベース層が露出形成され、前記半導体基体の第2主表面側は、第2導電型のエミッタ層と、第1導電型のベース層まで達し、第1導電型のベース層よりも低抵抗の第1導電型の短絡領域とが交互に露出形成され、第2導電型のエミッタ層の厚さが10μm乃至30μmの範囲内にあり、かつ、低抵抗の短絡領域の厚さが第2導電型のエミッタ層の厚さよりも20μm以上厚くなるように構成したことを特徴とする自己消去機能を有する半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/74 C
, H01L 29/74 A
