特許

J-GLOBAL ID：200903037976833208

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： 松木 武雄 ,  竹内 潔
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-293267
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151841
出願日： 1992年10月30日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】 ゲート電極の真下及び側面にチャネル領域を有する電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極側面の半導体領域のしきい値電圧制御性を向上させ、デバイス設計の自由度を増大させる。【構成】 半導体基板3上のゲート電極1と半導体領域12,13との界面に、多層膜構造のゲート側壁絶縁膜4,6,7を有する。側壁絶縁膜4,6,7の材料及び層の厚みを設計することにより、側面半導体領域12,13の不純物濃度を変化させずに、その領域のしきい値電圧,ドレイン電流,ホットキャリア発生量を制御する。

請求項（抜粋）：

ゲート電極の側面に側壁絶縁膜を有する電界効果トランジスタであって、側壁絶縁膜は、トランジスタのチャネルが形成される半導体領域とゲート電極の側面との界面に設けられ、異種材料からなる2以上の積層膜であることを特徴とする電界効果トランジスタ。