特許
J-GLOBAL ID:200903037980275325
レジストパタ-ンの形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-331713
公開番号(公開出願番号):特開平6-053122
出願日: 1991年12月16日
公開日(公表日): 1994年02月25日
要約:
【要約】【目的】アスペクト比の高いレジストパタ-ンを形成する。【構成】2光束干渉露光方式でフォトレジストにピッチ0.36μm以下の回折パタ-ンを露光し、現像することによりレジストパタ-ンを形成する。このときに、フォトレジストとして、G線におけるAパラメ-タが0.6以上でかつBパラメ-タが0.2以上のものを用いることにより、アスペクト比の高いレジストパタ-ンを得ることができる。
請求項(抜粋):
2光束干渉露光方式でフォトレジストにピッチ0.36μm以下の回折格子パタ-ンを露光し、現像することによりレジストパタ-ンを形成する方法において、前記フォトレジストとしてG線におけるAパラメ-タが0.6以上でかつBパラメ-タが0.2以上のものを用いることを特徴とするレジストパタ-ンの形成方法。
IPC (4件):
H01L 21/027
, G03F 7/20 505
, G03F 7/20 521
, G03F 7/26
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