特許
J-GLOBAL ID:200903037980630346
研磨用パッドおよび研磨装置ならびに研磨方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-253476
公開番号(公開出願番号):特開2002-059359
出願日: 2000年08月24日
公開日(公表日): 2002年02月26日
要約:
【要約】【課題】被研磨物表面へのダスト付着性を少なくし、スクラッチ傷の低減を果たし、さらに平坦化特性をも両立させること、さらに、凹凸加工する前の半導体ウェハー自身の微細な凹凸、すなわち、wavinessや、nanotopologyなどと表現される欠陥を簡単な研磨方法で取り除くことをその課題とする。【解決手段】層の数が2以上のシート状層を積層した主に有機高分子マトリクスからなる研磨パッド。
請求項(抜粋):
層の数が2以上のシート状層を積層した主に有機高分子マトリクスからなることを特徴とする研磨パッド。
IPC (2件):
B24B 37/00
, H01L 21/304 622
FI (2件):
B24B 37/00 C
, H01L 21/304 622 F
Fターム (5件):
3C058AA09
, 3C058CB01
, 3C058CB02
, 3C058CB10
, 3C058DA17
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