特許
J-GLOBAL ID：200903037984729274
トランジスタ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 祥泰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-175979
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130863
出願日： 1993年06月22日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 横型トランジスタのアーリー効果を低減させた縦横一体型トランジスタの提供。【構成】 縦型トランジスタ11と横型トランジスタ12とを同一基板13に形成した相補型トランジスタ10である。エピタキシャル層15の表層部にエピタキシャル層15よりも不純物濃度が大幅に大きい薄層20を形成してある。薄層20は,例えばエピタキシャル成長又は全面イオン打込みによって形成する。薄層20の深さは,縦型トランジスタ11のベース領域113等の深さd1 よりも大幅に小さく,縦型トランジスタ11のコレクタ領域111等の深さd2 以下であることが好ましい。
請求項（抜粋）：
縦型トランジスタと横型トランジスタとを同一基板に形成したトランジスタ装置であって,基板上に第1導電型の埋込層とエピタキシャル層を形成し,該エピタキシャル層の表層部に第1導電型であって上記エピタキシャル層よりも不純物濃度が高い薄層を形成し,次いでコレクタ,エミッタ,ベースの各領域を形成することを特徴とするトランジスタ装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8222
, H01L 21/331
, H01L 27/082
, H01L 29/73
H01L 27/08 101
, H01L 29/72
