特許

J-GLOBAL ID：200903037985829175

薄膜形成装置および機能性単一薄膜

発明者： 杉本 武和 ,  鈴木 正康
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 竹本 松司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-283898
公開番号（公開出願番号）：特開平10-053877
出願日： 1996年10月25日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】 50nm〜1nmの薄い膜厚で目的とする膜特性を備えた薄膜を形成することができる薄膜形成装置および薄い膜厚で目的とする膜特性を備えた薄膜を提供する。【解決手段】 薄膜形成装置1は、磁場内にマイクロ波電力を供給して電子サイクロトロン共鳴プラズマを発生するECRプラズマ発生部3と、試料2にバイアス電圧Vbを印加するバイアス電源部4と、反応室5内に反応ガスを導入する反応ガス導入部6と、成膜条件を制御する制御部7とを備え、制御部7によって、単一層を形成する一成膜工程中においてマイクロ波電力,バイアス電圧,反応ガスのガス種,反応ガスの導入量,導入比率,反応室内の圧力等の成膜条件の少なくとも一つを変更して、単一層内の厚さ方向の特性が異なる薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

磁場内にマイクロ波電力を供給して電子サイクロトロン共鳴プラズマを発生するECRプラズマ発生部と、試料にバイアス電圧を印加するバイアス電源部と、反応室内に反応ガスを導入する反応ガス導入部と、成膜条件を制御する制御部とを備え、前記制御部は、単一層を形成する一成膜工程中において成膜条件の少なくとも一つを変更することを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (5件)：

C23C 16/52 ,  G11B 5/72 ,  G11B 5/84 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

C23C 16/52 ,  G11B 5/72 ,  G11B 5/84 B ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/205