特許

J-GLOBAL ID：200903037988564695

半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハ並びにこの半導体ウエハを用いた太陽電池

発明者： 中村 茂昭
出願人/特許権者： エム・セテック株式会社
代理人 (1件)： 森 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-067283
公開番号（公開出願番号）：特開平10-247629
出願日： 1997年03月04日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：

【要約】【目的】 従来のPN接合分離の為の側面不純物拡散層除去工程を必要としない半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハ並びにこの半導体ウエハを用いた太陽電池を提供するにある。【構成】 半導体インゴット又は該インゴットを切削加工して得られる半導体ブロック(1)の表面に絶縁膜を形成し、その後切断して、側周面に絶縁膜(2)を有する半導体ウエハ(4)とし、次いで不純物拡散を施してPN接合(6)を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体インゴット又は該インゴットを切削加工して得られる半導体ブロックの表面に絶縁膜を形成し、その後ウエハに切断することを特徴とする半導体ウエハの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 311 ,  C01B 33/02 ,  C30B 29/06 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 21/304 311 B ,  C01B 33/02 E ,  C30B 29/06 B ,  H01L 31/04 H