半導体ダイヤモンド及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田長七 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-059463
公開番号（公開出願番号）：特開平8-259390
出願日： 1995年03月17日
公開日（公表日）： 1996年10月08日
要約：

【要約】【目的】結晶性回復処理の効果を多大に促進させ、より結晶性の良好な半導体ダイヤモンド及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】ダイヤモンド結晶格子11の炭素原子の置換位置に入った触媒作用を持つ当該不純物元素原子12は結晶性回復処理の際に、自らが炭素原子の置換位置に戻り、その時に周囲の炭素原子や注入された不純物イオンの周囲のダイヤモンド様結合様式(sp3 結合)を回復させる。【効果】イオン注入等の外因的結晶欠陥の熱アニーリング等による回復処理を促進させることができて、結晶性が良好な半導体ダイヤモンドが得られる。

請求項（抜粋）：

ターゲット結晶への損傷を与えることが不可避である半導体用不純物元素の導入方法が用いられて製造される半導体ダイヤモンドにおいて、ダイヤモンド結晶中に、結晶内部に予め意図的に存在せしめられる炭素以外に、グラファイト様結合様式からダイヤモンド様結合様式への変換を助成、促進させ得る元素原子を混入させたことを特徴とする半導体ダイヤモンド。

IPC (4件)：

C30B 29/04 , H01L 21/02 , H01L 21/205 , H01L 21/265

FI (4件)：

C30B 29/04 V , H01L 21/02 B , H01L 21/205 , H01L 21/265 A

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