半導体装置の製造方法およびそれに用いられるウェハ処理装置並びに半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-242352
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353205
出願日： 2001年08月09日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】エッチングにおいて高い選択性の得られる半導体装置の製造方法と、そのような半導体装置の製造方法に用いられるウェハ処理装置と、そのような半導体装置の製造方法によって得られる半導体装置を提供する。【解決手段】ウェハ処理装置において、ウェハ2を収容して所定の処理を施すための容器1に、フッ酸ガス供給管5と真空排気管4が接続されている。フッ酸ガスの供給を制御する制御部11が設けられている。制御部11により、容器1内にフッ酸ガスを供給する時間は、反応生成物のエッチングが始まるまでの時間よりも長く、ゲート絶縁膜のエッチングが始まるまでの時間よりも短く設定される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された、所定のエッチング特性を有する第1の部分および前記所定のエッチング特性とは異なるエッチング特性を有する第2の部分とに対して、エッチングのためのガスを用い容器内にて所定の処理を施すウェハ処理工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記ウェハ処理工程は、前記容器内に前記エッチングのためのガスを導入するエッチングガス供給工程を備え、前記容器内に前記エッチングのためのガスを導入してから前記第1の部分のエッチングが開始されるまでの時間を第1開始時間とし、前記容器内に前記エッチングのためのガスを導入してから前記第2の部分のエッチングが開始されるまでの時間を前記第1開始時間よりも長い第2開始時間とすると、前記エッチングガス供給工程が行われる時間は、前記第1開始時間よりも長く前記第2開始時間よりも短い、半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/28 , H01L 21/3213 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/28 F , H01L 21/302 A , H01L 21/88 D , H01L 29/78 301 G

Fターム (48件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104CC05 , 4M104DD43 , 4M104DD65 , 4M104DD67 , 4M104DD71 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH14 , 5F004AA05 , 5F004AA13 , 5F004BC03 , 5F004CA01 , 5F004CA02 , 5F004CA08 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA20 , 5F004DA26 , 5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004EA06 , 5F004EB02 , 5F033HH04 , 5F033PP06 , 5F033QQ08 , 5F033QQ15 , 5F033QQ28 , 5F033QQ30 , 5F033VV06 , 5F033XX03 , 5F033XX31 , 5F140AA24 , 5F140AA26 , 5F140BA01 , 5F140BD05 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG28 , 5F140BG38 , 5F140BG39 , 5F140BG41 , 5F140BG58

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