特許
J-GLOBAL ID：200903037998433874
微細パターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西田 新
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-161347
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013384
出願日： 1991年07月02日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 解像限界以下のパターン形成を行うことができる方法を提供する。【構成】 半導体基板1上にレジスト2を形成した後、そのレジスト2の所定部分を露光し、その後その露光したレジスト部分にシリル化層4aを形成した後、そのシリル化層4aを除く上記レジスト2をその途中までエッチングし、その後そのレジストおよび上記シリル化層4a上にCVD膜を堆積した後、そのCVD膜をエッチバックし、その後上記シリル化層側壁に残存する上記CVD膜をマスク3として、上記半導体基板1が露出するまで上記レジストをエッチングする工程を有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にレジストを形成した後、そのレジストの所定部分を露光し、その後その露光したレジスト部分にシリル化層を形成した後、そのシリル化層を除く上記レジストをその途中までエッチングし、その後そのレジストおよび上記シリル化層上にCVD膜を堆積した後、そのCVD膜をエッチバックし、その後上記シリル化層側壁に残存する上記CVD膜をマスクとして、上記半導体基板が露出するまで上記レジストをエッチングする工程を有する微細パターンの形成方法
IPC (3件)：
H01L 21/302
, G03F 7/26
, H01L 21/318
