特許

J-GLOBAL ID：200903037998813766

集積回路

発明者： ▲高▼澤 浩幸 ,  ▲高▼谷 信一郎 ,  紀川 健
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-169136
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368014
出願日： 2001年06月05日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】 出力変化の小さな集積回路を提供すると共に、その集積回路を搭載した高周波モジュールを提供する。【解決手段】 ゲートリセス領域においてゲート電極近傍に存在する半導体表面酸化物層の砒素酸化物量が5.8×1020cm-3以下であるFETを、高周波モジュールを構成する集積回路の基本素子として用いる。基本素子のしきい値電圧変化を抑制できるため、特性変動の小さな集積回路及び高周波モジュールが得られる。

請求項（抜粋）：

半導体材料層と、この半導体材料層に対して配されたゲート電極とを少なくとも有し、前記半導体材料層が有する半導体表面酸化物層中の砒素酸化物量が1立方センチメートルあたり5.8×1020個以下である電界効果型トランジスタを具備することを特徴とする集積回路。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 Q ,  H01L 29/80 H

Fターム (19件)：

5F102GA11 ,  5F102GA16 ,  5F102GA18 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK06 ,  5F102GL04 ,  5F102GM06 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ01 ,  5F102GQ02 ,  5F102GR10 ,  5F102GV05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21 ,  5F102HC30