特許
J-GLOBAL ID：200903037999558913
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-172031
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021617
出願日： 1991年07月12日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し,配線間の容量を減らすため,そこに空洞を形成する方法の提供を目的とする。【構成】 半導体基板1表面に一様に形成される絶縁膜2表面に金属膜を被着形成した後パターニングして絶縁膜2表面の互いに離れた位置に第1の金属膜3a及び第2の金属膜3bを形成し,全面を覆う第1の絶縁膜4及び第1の絶縁膜4表面を覆いかつ表面が略平坦になる第2の絶縁膜5を被着形成し,第1の絶縁膜4を露出しかつ表面が略平坦になるように第2の絶縁膜5の全面をエッチバックし,第1の金属膜3a及び第2の金属膜3b間の第2の絶縁膜5表面を選択的に露出させる開孔6aを有し,全面に延在する第3の絶縁膜6を被着形成し,開孔6aから第2の絶縁膜5を選択的にエッチングして第3の絶縁膜6下面が露出する空洞8を形成した後全面に第4の絶縁膜9を被着して開孔6aを閉じ,閉じた空洞8aを形成するように構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板(1) 表面に一様に形成される絶縁膜(2)表面に金属膜を被着形成する工程と,次いで,該金属膜をパターニングすることにより,該絶縁膜(2) 表面の互いに離れた位置に,第1の金属膜(3a)及び第2の金属膜(3b)を形成する工程と,次いで,該第1の金属膜(3a)表面と該第2の金属膜(3b)表面と該絶縁膜(2) の露出した表面とをともに覆うように,第1の絶縁膜(4) を形成する工程と,次いで,該第1の絶縁膜(4) 表面を覆うように,かつ表面が略平坦になるように,第2の絶縁膜(5) を全面に被着形成する工程と,次いで,該第1の絶縁膜(4) を露出し,かつ表面が略平坦になるように,該第2の絶縁膜(5) の全面をエッチバックする工程と,次いで,該第1の金属膜(3a)及び該第2の金属膜(3b)間の該第2の絶縁膜(5)表面を選択的に露出させる開孔(6a)を有し,かつ該第1の絶縁膜(4) 表面から該第2の絶縁膜(5) 表面に延在する第3の絶縁膜(6) を被着形成する工程と,該開孔(6a)から該第2の絶縁膜(5) を選択的にエッチングして除去し,該第3の絶縁膜(6) 下面が露出する空洞(8) を形成した後,全面に第4の絶縁膜(9) を被着して該開孔(6a)を閉じ,閉じた空洞(8a)を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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