特許
J-GLOBAL ID：200903038005385175
膜形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-238565
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106256
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】 低温下で、エッチング速度の選択が可能であり、低含有炭素量かつ良好な段差被覆性を有する、SIN膜あるいはSION膜を形成する薄膜形成方法を提供する。【構成】 配管61からSiH4 、NH3 およびN2 を導入するとともに、配管62からHMDSを導入し、配管60を介して、反応容器1内に5Torr、HMDS,SiH4 ,NH3 ,N2 から成る反応ガスが導入した。このとき、基板の温度はヒータ7によって300°C〜450°Cに制御し、高周波発振源8、10から高周波電力を0.02W/cm2 で印加した。反応容器1内では、プラズマを発生し、このプラズマ放電エネルギにより混合ガスが励起され、化学結合を分解し、原子または分子のラジカルとして、これらの活性粒子に基づく反応生成物を基板5上に堆積されて、SIN膜が基板上に形成された。
請求項（抜粋）：
基板を収容する反応容器内において、モノシラン系化合物、有機シラン系化合物および窒素化合物からなる混合ガスに高周波電力を印加してプラズマを発生させるステップと、このプラズマ放電エネルギにより混合ガスを励起させて反応生成物を前記基板上に堆積させるステップと、を備えることを特徴とする膜形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, H01L 21/318
