特許

J-GLOBAL ID：200903038006189418

電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： 古田 建一 ,  秋山 豊
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-067520
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264766
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 耐圧が従来より高い拡散型のかつデプリーション型の電界効果トランジスタを提供する。【構成】 N- 型シリコン基板11と、該基板11の一部に形成されたP型拡散領域13と、該P型拡散領域13の一部表面から該領域より浅い深さで形成されたソースコンタクト用のN+ 型拡散領域15と、前記P型拡散領域13の、前記ソースコンタクト用のN+ 型拡散領域15が形成された部分以外の部分の表層部に形成されチャネル部を構成するN+ 型拡散領域17と、該N+ 型拡散領域17上に形成されたゲート絶縁膜19と、を具えたデプリーション型の電界効果トランジスタにおいて、P型拡散領域13およびN+ 型拡散領域17おのおのの横方向の終端が略一致の状態となるように、これら拡散領域13,17 を具える。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体下地と、該下地の一部に形成された第2導電型の拡散領域と、該第2導電型の拡散領域の一部表面から該領域より浅い深さで形成された高濃度の第1導電型の拡散領域と、前記第2導電型の拡散領域の、前記高濃度の第1導電型の拡散領域が形成された部分以外の部分の表層部の少なくとも一部に形成されチャネル部を構成する第1導電型の拡散領域と、該第1導電型の拡散領域上に形成されたゲート絶縁膜と、を具えたデプリーション型の電界効果トランジスタにおいて、前記第2導電型の拡散領域およびチャネル部を構成する前記第1導電型の拡散領域おのおのの横方向の終端が略一致の状態となるように、これら拡散領域を具えたことを特徴とする電界効果トランジスタ。