特許

J-GLOBAL ID：200903038009335652

成膜装置

発明者： 溝口 高宏 ,  横田 浩二 ,  早川 義人 ,  前田 誠 ,  原 裕紀 ,  久保田 昌実
出願人/特許権者： 株式会社クボタ
代理人 (1件)： 山田 義人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-018887
公開番号（公開出願番号）：特開2001-207265
出願日： 2000年01月27日
公開日（公表日）： 2001年07月31日
要約：

【要約】【構成】 はじめに放電限界下限ガス圧よりも十分に高い第1圧力の非成膜ガス(Ar)をガス導入手段により成膜チャンバにスパイク導入し、プラズマ生成手段によりプラズマを発生させる。その後、第1圧力より低く放電限界下限ガス圧よりもやや高い第2圧力すなわちプラズマ放電を持続可能な程度の圧力で非成膜ガスを供給し、プラズマ放電を安定させて持続させる。そして、成膜時には、非成膜ガスに替えて成膜ガス(C2H2)を成膜チャンバに導入する。成膜後には、再び第2圧力の非成膜ガスに切り替えて、次の成膜までプラズマ放電を持続させる。【効果】 非成膜ガスをスパイク導入して、プラズマ放電を効率よく発生させるようにしたので、より早くプラズマ放電の安定状態を得ることができる。

請求項（抜粋）：

被処理体を収容する成膜チャンバ、非成膜ガスおよび成膜ガスを切り替えながら前記成膜チャンバへ連続的に導入するガス導入手段、前記非成膜ガスおよび前記成膜ガスをプラズマ化するプラズマ生成手段、および前記非成膜ガスおよび前記成膜ガスの圧力を制御する圧力制御手段を備え、前記非成膜ガスを第1圧力でスパイク導入してプラズマを発生させ、前記非成膜ガスを前記第1圧力より低い第2圧力で導入して前記プラズマを持続させ、前記非成膜ガスに替えて前記成膜ガスを導入して成膜する、成膜装置。

IPC (4件)：

C23C 16/455 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

C23C 16/455 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A

Fターム (20件)：

4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030BA28 ,  4K030BB12 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA02 ,  4K030HA04 ,  4K030JA09 ,  4K030KA30 ,  4K030LA19 ,  5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045AC01 ,  5F045BB08 ,  5F045EE02 ,  5F045EE14 ,  5F045EE19 ,  5F045EH19 ,  5F045EN04