特許

J-GLOBAL ID：200903038009924305

EL素子

発明者： 水谷 厚司 ,  片山 雅之 ,  服部 有
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-049680
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250282
出願日： 1995年03月09日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】 発光しきい電圧の変化の少ないEL素子を提供すること。【構成】 図1はEL素子100の断面図であり、ガラス基板11上に、順次、第1透明電極12、第1絶縁層12、発光層13、第2絶縁層、第2透明電極16が積層、配置されている。発光層13は、硫化亜鉛からなる母材に、Tb、O、Fの発光中心元素を添加して構成されている。ここで、F/Tbの原子比は0.05以上0.5未満に設定しており、又O/Tbの原子比は0.05以上0.5未満に設定してある。F/Tbの原子比を上記の如く設定するこにより、発光動作時間の経過による発光しきい電圧の変化量を大幅に低減でき、又このことから発光輝度の減少も低減できる。更にO/Tbの原子比を上記の如く設定することにより、発光層自体の絶縁破壊耐圧を向上することができる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に第1電極、第1絶縁層、発光層、第2絶縁層、第2電極を順次、積層し、少なくとも光取り出し側を光学的に透明な材料により構成してなるEL素子において、前記発光素子が、II-VI族化合物半導体よりなる母材に、テルビウム、酸素、及びハロゲン元素を添加して構成されており、且つ前記発光層中に含有される、前記テルビウムに対する前記ハロゲン元素の原子比(ハロゲン元素/テルビウム)が0.05以上0.5未満であることを特徴とするEL素子。

IPC (2件)：

H05B 33/14 ,  C09K 11/56 CPC

FI (2件)：

H05B 33/14 ,  C09K 11/56 CPC