特許

J-GLOBAL ID：200903038013810993

窒化物半導体発光素子、光ピックアップ装置、および、発光装置

発明者： 津田 有三 ,  伊藤 茂稔
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-351003
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158405
出願日： 2000年11月17日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】 界面の急峻性を改善することにより、発光効率の高い窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 GaN<SB>1-x-y-z</SB>As<SB>x</SB>P<SB>y</SB>Sb<SB>z</SB>井戸層(0<x+y+z≦0.3)と、前記井戸層に接しInを含有する窒化物半導体障壁層と、を有して構成される発光層を有する窒化物半導体発光素子。

請求項（抜粋）：

GaN<SB>1-x-y-z</SB>As<SB>x</SB>P<SB>y</SB>Sb<SB>z</SB>井戸層(0<x+y+z≦0.3)と、前記井戸層に接しInを含有する窒化物半導体障壁層と、を有して構成される発光層を有する窒化物半導体発光素子。

IPC (5件)：

H01S 5/343 ,  C30B 29/38 ,  G11B 7/125 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (5件)：

H01S 5/343 ,  C30B 29/38 Z ,  G11B 7/125 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (48件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EF01 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  5D119AA43 ,  5D119BA01 ,  5D119FA05 ,  5F041AA11 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041FF01 ,  5F041FF16 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045BB05 ,  5F045DA55 ,  5F045DA63 ,  5F045DA64 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073BA04 ,  5F073CA20 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA24 ,  5F073EA29