特許

J-GLOBAL ID：200903038014368348

酸化In-Sn系透明導電膜の製造方法

発明者： 小川 博文 ,  鮫島 賢二 ,  大島 徹也 ,  長妻 一之 ,  平井 忠明 ,  山本 昌直
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-005644
公開番号（公開出願番号）：特開平6-212403
出願日： 1993年01月18日
公開日（公表日）： 1994年08月02日
要約：

【要約】【構成】円周部に沿って基板10を配備した回転円板9と、回転円板9の円周部に対向して設置されたIn1とSn2の蒸発源と、個々の蒸発源に対向して設けられた蒸発速度検出器11とを有する回転蒸着装置を用いて、InとSnの蒸着量がそれぞれ所定の値になるようにInとSnの蒸発速度を制御しつつ、加熱保持された基板10上に、酸素を含有するガス雰囲気中で、InとSnを交互に蒸着,酸化させる。【効果】高導電率,高透過率で、微粒子状付着物のない平滑性に優れた良質の透明導電膜を再現性良く得ることができる。

請求項（抜粋）：

酸素を含有するガス雰囲気中で、InとSnをそれぞれ別々のボートから蒸発させ、加熱保持された基板上に、所定量のInとSnを、連続して蒸着し、酸化させることを特徴とする酸化In-Sn系透明導電膜の製造方法。

IPC (5件)：

C23C 14/08 ,  C01G 15/00 ,  C23C 14/24 ,  C23C 14/54 ,  H01B 13/00 503