特許

J-GLOBAL ID：200903038019445863

無電解金属めっき法

発明者： デービッド・ジョン・ラッセル ,  ジェラルド・ウォールター・ジョーンズ ,  ヘイケ・マルセロ ,  ヴォヤ・リスタ・マルコヴッチ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-034874
公開番号（公開出願番号）：特開平11-315384
出願日： 1999年02月12日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】 回路化基板のような基板上に、金属、特に金および銅を選択的に無電解めっきする新しい方法を提供する。【解決手段】 基板上にエピクロルヒドリンとビスフェノールAの縮合物である分子量約40,000〜約130,000のフェノキシポリオール樹脂約10〜約80%、分子量約4,000〜約10,000のエポキシ化多官能性ビスフェノールA-ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂約20〜約90%、分子量約600〜約2,500のビスフェノールAのジグリシジルエーテル約35〜約50%、および全樹脂の約0.1〜約15重量部のカチオン性光開始剤とを含む硬化されて光結像可能な、誘電性永久めっきレジストを付与する段階と、永久めっきレジストを光パターン化して、基板の領域を露出する開口をその中に形成する段階と、基板の露出領域上に金属を無電解めっきする段階とを含む。

請求項（抜粋）：

a.エピクロルヒドリンとビスフェノールAの縮合物である分子量約40,000〜約130,000のフェノキシポリオール樹脂約10〜約80%、分子量約4,000〜約10,000のエポキシ化多官能性ビスフェノールA-ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂約20〜約90%、分子量約600〜約2,500のビスフェノールAのジグリシジルエーテル約35〜約50%、および全樹脂の約0.1〜約15重量部のカチオン性光開始剤を含むエポキシ樹脂系を含む未硬化の光結像可能な誘電性永久めっきレジストを提供するステップと、b.基板にシードを施すステップと、c.前記基板に前記永久めっきレジストを塗布するステップと、d.前記永久めっきレジストを光結像して前記永久めっきレジストに開口を形成するステップと、e.前記永久めっきレジストの前記開口中に金属を無電解めっきして、金属が前記シード上にめっきされるステップとを含む無電解めっき方法。

IPC (3件)：

C23C 18/31 ,  C23C 18/18 ,  H05K 3/18

FI (4件)：

C23C 18/31 Z ,  C23C 18/18 ,  H05K 3/18 E ,  H05K 3/18 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-106191
  
• 特開平4-318993
  
• 特開平2-279718