特許

J-GLOBAL ID：200903038026602478

半導体レーザアレイ素子とその製造方法

発明者： 植木 伸明 ,  中山 秀生 ,  福永 秀樹 ,  乙間 広己
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中野 佳直
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-269622
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097589
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 簡便なプロセスで信頼性の高い半導体レーザアレイ素子を提供すること。【構成】 n-GaAs基板1上にn-AlxGa1-xAsクラッド層2、アンドープAlyGa1-yAs光閉じ込め層、アンドープAlzGa1-zAs量子井戸層、アンドープAlyGa1-yAs光閉じ込め層、p-AlxGa1-xAsクラッド層6、p-GaAsキャップ層7を順次積層し、p-AlxGa1-xAsクラッド層6の一部を化学的エッチングにより除去して中心間距離10〜30μmの間隔を持ち、互いに独立に駆動できる少なくとも2個の活性領域18a、bを持つ半導体レーザアレイ素子を製造する。クラッド層6からエッチングでメサストライプ9を形成した後、ストライプ9の底部からシリコンを拡散して量子井戸層4を含む活性層を無秩序化するための熱処理時間を短縮させることができる。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板上に第1導電型クラッド層と、この第1導電型クラッド層上に量子井戸構造を含む活性層と、この活性層上に第2導電型クラッド層とを備え、この第2導電型クラッド層の一部を化学的エッチングにより除去して形成された中心間距離10〜30μmの間隔を持つ少なくとも2個のメサ・ストライプの各々のストライプ底部から第1導電型不純物を熱的に拡散して量子井戸を含む活性層を無秩序化することで形成されたレーザ発振に寄与する少なくとも2個の活性領域を持つことを特徴とする半導体レーザアレイ素子。