特許

J-GLOBAL ID：200903038031533913

半導体装置及びその製造方法

発明者： 島本 裕巳 ,  芝 健夫 ,  内野 俊 ,  大西 和博 ,  清田 幸弘 ,  大畠 賢一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立デバイスエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-169523
公開番号（公開出願番号）：特開平9-023011
出願日： 1995年07月05日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】【目的】微細で高性能なMOSFETを提供する。【構成】チャネル領域となる単結晶シリコン層2を、面異方性エッチング技術を用いて加工し、チャネル領域のゲート幅方向の断面がV字型の溝を有する構造とする。

請求項（抜粋）：

支持基板上の第1の絶縁膜を介して配置した断面が複数のV字型の溝を有する第1のシリコン層を有し、前記第1のシリコン層の支持基板と水平な表面と前記第1のシリコン層の前記支持基板に対し斜めの表面の各々の一部を連続して覆うと共に、前記第1のシリコン層とはゲート酸化膜を介して形成されたゲートと、前記第1のシリコン層の溝筋の方向をチャネル電流が流れる方向となる様に、前記第1のシリコン層の一方の表面から取り出されたソース引き出し電極と、他方の表面から取り出されたドレイン引き出し電極とから構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 29/78 618 C ,  H01L 27/08 321 C ,  H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 301 V ,  H01L 29/78 613 A