特許

J-GLOBAL ID：200903038042078630

半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 櫃田 幸央
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 藤島 洋一郎 ,  三反崎 泰司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-327005
公開番号（公開出願番号）：特開2006-140234
出願日： 2004年11月10日
公開日（公表日）： 2006年06月01日
要約：

【課題】 簡易に製造可能であり、光の高利用効率化と素子の低動作電圧化とを両立させることが可能なGaN系半導体を用いた発光素子を提供する。【解決手段】 p型クラッド層14とp側反射電極17との間に、それぞれこれらよりも低い屈折率を有する第1の透明導電膜15Aおよび第2の透明導電膜15Bを設ける。また、これら透明導電膜の膜厚の合計d1を、活性層13から発せられた光の波長に対して1/4×(2n+1)倍(n:自然数)の光学距離となるように設定する。p側反射電極17での反射率を増加させ、より多くの光を透明基板11側へ導くので、光の利用効率が向上する。また、第1の透明導電膜15Aを、遷移金属酸化物により構成する。p型クラッド層14と第2の透明導電膜15Bとの界面での接触抵抗を緩和するので、より低電圧で発光することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

透明基板上に形成されると共に、ガリウム(Ga)を含有する窒化物半導体よりそれぞれなる一対のクラッド層およびこれらの間に位置する活性層を含む半導体積層構造と、前記一対のクラッド層のうちの上部クラッド層を介して前記活性層へ電流を供給すると共にこの活性層から発せられた光を反射して前記透明基板側へ導く反射電極とを備えた半導体発光素子であって、 前記半導体積層構造と前記反射電極との間に、それぞれこれらよりも低い屈折率を有する第1の透明導電膜および第2の透明導電膜が半導体積層構造側からこの順に設けられると共に、この第1の透明導電膜が遷移金属酸化物により構成され、かつこれら透明導電膜の膜厚の合計が前記活性層から発せられた光の波長に対して1/4×(2n+1)倍(n:自然数)の光学距離となるように設定されている ことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (10件)：

5F041AA03 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA84 ,  5F041CA86 ,  5F041CA87 ,  5F041CA88 ,  5F041CA99