特許

J-GLOBAL ID：200903038042307834

共鳴トンネル障壁構造

発明者： 杉山 弘樹 ,  佐藤 理夫 ,  松崎 秀昭 ,  横山 春喜
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (2件)： 和泉 良彦 ,  小林 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-365087
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200286
出願日： 2002年12月17日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：

【課題】障壁層へのIn偏析の影響を抑制することが可能な構造の高性能の共鳴トンネル障壁構造を提供する。【解決手段】n型の導電性を有するコレクタ層1と、n型の導電性を有するエミッタ層2と、コレクタ層1およびエミッタ層2のキャリアに対して障壁として作用する導電性が中性の第1の障壁層3と、導電性が中性であって、その伝導帯の下端がエミッタ層2の伝導帯の下端よりも低い位置にある量子井戸層4と、コレクタ層1およびエミッタ層2のキャリアに対して障壁として作用する導電性が中性の第2の障壁層5と、コレクタ層1およびエミッタ層2のキャリアに対して障壁として作用する導電性が中性の第3の障壁層6よりなり、コレクタ層1、第1の障壁層3、量子井戸層4、第2の障壁層5、第3の障壁層6、エミッタ層2の順に積層して構成してなる共鳴トンネル障壁構造とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の半導体からなり、n型の導電性を有するコレクタ層と、 第2の半導体からなり、n型の導電性を有するエミッタ層と、 前記第1の半導体および前記第2の半導体中のキャリアに対して障壁として作用する第3の半導体からなり、導電性が中性である第1の障壁層と、 第4の半導体からなり、導電性が中性であって、その伝導帯の下端が前記第2の半導体の伝導帯の下端よりも低い位置にある量子井戸層と、 前記第1の半導体および前記第2の半導体中のキャリアに対して障壁として作用する第5の半導体からなり、導電性が中性である第2の障壁層と、 前記第1の半導体および前記第2の半導体中のキャリアに対して障壁として作用する第6の半導体からなり、導電性が中性である第3の障壁層とが、 前記コレクタ層、前記第1の障壁層、前記量子井戸層、前記第2の障壁層、前記第3の障壁層、前記エミッタ層の順に積層して構成したことを特徴とする共鳴トンネル障壁構造。

IPC (1件)：

H01L29/88

FI (1件)：

H01L29/88 S