特許

J-GLOBAL ID：200903038051026260

エピタキシャル蒸着により自立形基板を形成する熱的不整合の補償

発明者： ソロモン、グレン エス.
出願人/特許権者： シービーエル テクノロジーズ
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-507464
公開番号（公開出願番号）：特表2002-511831
出願日： 1998年07月02日
公開日（公表日）： 2002年04月16日
要約：

【要約】エピタキシャル蒸着された膜を使用する厚くて高品質のGaN基板を製造する方法である。このGaN基板は別の装置またはエピタキシャル処理用の基板材料として使用される。使い捨て基板(10)と称される薄い基板の上にエピタキシャル技術を使用して膜(11)が蒸着される。蒸着された膜は十分に厚いため、冷却することにより熱的不整合によるひずみは、新たに蒸着されたエピタキシーではなく、下方の使い捨て基板にクラックが発生することを通して緩和される。エピタキシャル膜は、別のエピタキシャル蒸着または装置処理のいずれかのための土台になる。

請求項（抜粋）：

半導体材料の厚い層を製造する方法であり、 化学気相成長法を使用して成長温度で基板上に半導体材料のエピタキシャル層を蒸着する工程であり、同工程はエピタキシャル層の厚さが基板の厚さのオーダーを有し、エピタキシャル層及び基板が熱的不整合を有することと; エピタキシャル層及び基板を冷却する工程であり、同工程はエピタキシャル層と基板との間の熱的不整合が冷却中にエピタキシーではなくて基板において欠陥生成を引き起こすことと;から成る方法であり、厚くて高品質の半導体材料の層が形成されることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C