特許
J-GLOBAL ID：200903038054913934
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-329303
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172071
出願日： 1995年12月18日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：
【要約】【課題】 コンタクトホールを高融点金属の柱で形成して上下の配線層を接続した場合、上層配線層の位置ずれにより高融点金属の一部が露呈され、上層配線としてのアルミニウム配線に欠陥が発生し信頼性が低下される。【解決手段】 第1導電層1上に第1絶縁膜2、第2絶縁膜3、第2配線層の膜厚よりも薄く第3絶縁膜4をそれぞれ形成し、これらに第1導電層1に達するホールを形成した上で、ホールに高融点金属を埋設して高融点金属柱5,6,7を形成する。形成しようとする第2配線層10の膜厚から第3絶縁膜4の膜厚を差し引いた膜厚の第の絶縁膜5を形成し、第2配線層10を形成する領域の第3,第4の絶縁膜4,5を選択エッチングして溝を形成してこれを配線金属で埋め込んで第2配線層10を形成する。高融点金属柱5,6,7と第2配線層10とに位置ずれが生じても、高融点金属柱は第4の絶縁膜5で被覆され、また第2配線層10を研磨により形成し、エッチングが不要となる。
請求項（抜粋）：
素子または下層配線としての第1の配線層と、この上に層間絶縁膜を介して形成された上層配線としての第2の配線層とを前記層間絶縁膜に設けたホール内に埋設された高融点金属の柱で接続する半導体装置の製造方法において、前記第1の配線層上に前記層間絶縁膜としての第1の絶縁膜を形成する工程と、その上に第2の絶縁膜を形成する工程と、さらにその上に第2の配線層の膜厚よりも薄く第3の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の配線層に達するホールを前記第1、第2、第3の絶縁膜にわたって形成する工程と、前記ホールに高融点金属を埋設して高融点金属柱を形成する工程と、前記第2の配線層の膜厚から第3の絶縁膜の膜厚を差し引いた膜厚の第4の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の配線層を形成する領域の第3,第4の絶縁膜を選択エッチングして溝を形成する工程と、前記溝を配線金属で埋め込んで第2の配線層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3205
H01L 21/90 A
, H01L 21/88 N
