特許

J-GLOBAL ID：200903038056190638

半導体装置の製造方法、および基板素子挟持治具

発明者： 板垣 峰広 ,  戸村 善広 ,  天見 和由 ,  小野 正浩 ,  熊野 豊 ,  小島 俊之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 松田 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-391474
公開番号（公開出願番号）：特開2002-190485
出願日： 2000年12月22日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：

【要約】【課題】 従来の半導体装置の製造方法では、回路基板と半導体素子との隙間に充填される液状の絶縁性樹脂を硬化させるための時間が長かったという課題があった。【解決手段】 金属の突起13が形成された半導体素子11のその突起13が回路基板15上の所定の位置に位置するように、半導体素子11をフリップチップ方式で回路基板15上に載置する載置工程と、回路基板15と半導体素子11との隙間に液状の絶縁性樹脂18を充填する樹脂充填工程と、その液状の絶縁性樹脂18を、マイクロ波発生装置10によりマイクロ波を照射して硬化させる樹脂硬化工程とを備える。

請求項（抜粋）：

金属部材が形成された半導体素子のその金属部材が回路基板上の所定の位置に位置するように、前記半導体素子をフリップチップ方式で前記回路基板上に載置する載置工程と、前記回路基板と前記半導体素子との隙間に液状の絶縁性樹脂を充填する樹脂充填工程と、前記液状の絶縁性樹脂をマイクロ波を照射して硬化させる樹脂硬化工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 21/56 E ,  H01L 21/60 311 S

Fターム (5件)：

5F044RR19 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA04 ,  5F061CB13