特許

J-GLOBAL ID：200903038060048870

パワー半導体モジュール

発明者： 菊永 敏之 ,  武藤 浩隆 ,  大井 健史 ,  木ノ内 伸一 ,  碓井 修 ,  堀口 剛司 ,  菊池 巧 ,  上貝 康己 ,  高橋 貢
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-295495
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124398
出願日： 1998年10月16日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】 配線部材とパワー半導体チップとの熱膨張差にもとづく接合面の剥離を防止する。【解決手段】 絶縁基板上に装着されたパワー半導体チップ及び平板金属によって形成され、上記パワー半導体チップの電極部と対向する電極対向部と、この電極対向部から折曲されて延在する立ち上げ部と、この立ち上げ部に連なる導出部とを有する配線部材を備えたパワー半導体モジュールにおいて、上記パワー半導体チップの電極部と、上記配線部材の電極対向部とを導電性樹脂によって接続する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に装着されたパワー半導体チップ及び金属平板によって形成され、上記パワー半導体チップの電極部と対向する電極対向部と、この電極対向部から折曲されて延在する立ち上げ部と、この立ち上げ部に連なる導出部とを有する配線部材を備えたパワー半導体モジュールにおいて、上記パワー半導体チップの電極部と、上記配線部材の電極対向部とを導電性樹脂によって接合するようにしたことを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (3件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/48

FI (2件)：

H01L 25/04 C ,  H01L 23/48 G