特許

J-GLOBAL ID：200903038061293267

単結晶の引き上げ装置及び方法

発明者： ヴェルフリート・フォン・アモン ,  ハンス・エルクルング ,  エリッヒ・ドルンベルガー ,  フランツ・ゼギート
出願人/特許権者： ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-039202
公開番号（公開出願番号）：特開平10-265294
出願日： 1998年02月20日
公開日（公表日）： 1998年10月06日
要約：

【要約】【課題】 結晶化境界近傍における半径方向の軸線方向温度勾配の変動を実質的に回避する。【解決手段】 シリコン単結晶の引き上げ装置は、結晶化境界で成長する単結晶を環状に取り囲み該単結晶に対向する面を有する要素を備える。該要素は、結晶化境界と略同じ高さで単結晶を取り囲み、単結晶により放射された熱線を反射する特性又は熱線を放射する特性を有する。本発明は、更に、単結晶を取り囲む要素を用いて該単結晶に熱作用を及ぼすシリコン単結晶の引き上げ方法に関する。

請求項（抜粋）：

結晶化境界で成長する単結晶を環状に取り囲み該単結晶に対向する面を有する要素を備えた、シリコン単結晶を引き上げるための装置であって、前記要素が、結晶化境界と略同じ高さで単結晶を取り囲み、単結晶により放射された熱線を反射する特性又は熱線を放射する特性を有する、ことを特徴とする装置。

IPC (4件)：

C30B 15/30 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/208

FI (4件)：

C30B 15/30 ,  C30B 29/06 502 J ,  C30B 29/06 502 E ,  H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体単結晶引き上げ装置および引き上げ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-235335   出願人：コマツ電子金属株式会社
• シリコン単結晶の引上げ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-329839   出願人：ワッカー・ケミトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・エレクトロニク・グルントシュトッフェ・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング