特許
J-GLOBAL ID:200903038064972688
半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-005908
公開番号(公開出願番号):特開2005-228304
出願日: 2005年01月13日
公開日(公表日): 2005年08月25日
要約:
【課題】 対象物に貼り合わされた後で剥離されると、リーダ/ライタとの間における信号または電源電圧の送受を確実に制限することができる半導体装置の提供を課題とする。【解決手段】 本発明の半導体装置は、支持体上に形成された集積回路及びアンテナを有している。さらに本発明の半導体装置は、絶縁膜を間に挟んで該集積回路及びアンテナと重なっている分離層が、該支持体上に形成されている。そして、集積回路とアンテナとを電気的に接続するための配線、集積回路内の半導体素子どうしを電気的に接続するための配線、或いは、アンテナを形成している配線が、該分離層を貫通していることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
支持体と、該支持体上に薄膜集積回路、アンテナ及び分離層とを有し、
前記薄膜集積回路と前記アンテナとを電気的に接続するための配線が、前記分離層を貫通していることを特徴とする半導体装置。
IPC (13件):
G06K19/07
, G06K19/077
, G06K19/10
, H01L21/02
, H01L21/336
, H01L21/768
, H01L21/822
, H01L21/8234
, H01L27/04
, H01L27/08
, H01L27/088
, H01L27/12
, H01L29/786
FI (12件):
G06K19/00 H
, H01L21/02 B
, H01L27/08 331E
, H01L27/12 B
, H01L21/90 L
, H01L29/78 613Z
, H01L29/78 627D
, H01L29/78 626C
, H01L27/08 102D
, G06K19/00 K
, G06K19/00 R
, H01L27/04 L
Fターム (88件):
5B035AA15
, 5B035BA03
, 5B035BA05
, 5B035BB09
, 5B035CA01
, 5B035CA23
, 5F033GG03
, 5F033HH07
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH14
, 5F033HH17
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033HH20
, 5F033HH21
, 5F033PP26
, 5F033VV08
, 5F038AV06
, 5F038AZ04
, 5F038DF01
, 5F038DF04
, 5F038DF05
, 5F038DF10
, 5F038DT13
, 5F038EZ02
, 5F038EZ06
, 5F038EZ14
, 5F038EZ20
, 5F048AA04
, 5F048AB10
, 5F048AC04
, 5F048BA16
, 5F048BC06
, 5F048BC16
, 5F048BF07
, 5F048BF12
, 5F048BF16
, 5F048BG14
, 5F110AA14
, 5F110AA16
, 5F110AA26
, 5F110BB05
, 5F110BB20
, 5F110CC02
, 5F110DD01
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG14
, 5F110GG15
, 5F110GG16
, 5F110GG17
, 5F110GG25
, 5F110GG33
, 5F110GG34
, 5F110GG43
, 5F110GG44
, 5F110GG45
, 5F110HM15
, 5F110NN03
, 5F110NN04
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN34
, 5F110NN36
, 5F110NN71
, 5F110PP01
, 5F110PP02
, 5F110PP03
, 5F110PP04
, 5F110PP05
, 5F110PP06
, 5F110PP10
, 5F110PP13
, 5F110PP23
, 5F110PP29
, 5F110PP34
, 5F110QQ16
, 5F110QQ24
, 5F110QQ25
引用特許:
出願人引用 (1件)
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IDラベル
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-180214
出願人:松下電工株式会社
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