特許
J-GLOBAL ID:200903038069002989

樹脂封止型半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-347490
公開番号(公開出願番号):特開平6-204264
出願日: 1992年12月28日
公開日(公表日): 1994年07月22日
要約:
【要約】【構成】 回路面に絶縁樹脂膜を有する半導体素子をリードフレームにフィルム状接着剤を介して取り付け、これを封止樹脂によって封止した樹脂封止型半導体装置において、フィルム状接着剤の弾性率と線膨張係数、および封止樹脂の弾性率が次式の関係を満たすものであることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。(A-3×C)×B+150×C < 5000但し A:240°Cにおける接着剤の線膨張係数(ppm)B:240°Cにおける接着剤の弾性率 (MPa)C:240°Cにおける封止樹脂の弾性率 (MPa)【効果】 半田リフロー処理時にパッケージクラックの発生がなく、プレッシャークッカーテストや加湿加熱処理時に層間剥離を起こさない、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を提供することが可能である。
請求項(抜粋):
回路面に絶縁樹脂膜を有する半導体素子をリードフレームにフィルム状接着剤を介して取り付け、これを封止樹脂によって封止した樹脂封止型半導体装置において、フィルム状接着剤の弾性率と線膨張係数、および封止樹脂の弾性率が次式の関係を満たすものであることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。(A-3×C)×B+150×C < 5000但し A:240°Cにおける接着剤の線膨張係数(ppm)B:240°Cにおける接着剤の弾性率 (MPa)C:240°Cにおける封止樹脂の弾性率 (MPa)
IPC (3件):
H01L 21/52 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

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