特許

J-GLOBAL ID：200903038071267728

シリコンウエーハの評価方法

発明者： 相原 健 ,  北川原 豊 ,  竹中 卓夫
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 志波 邦男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-248458
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088257
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】 シリコンウエーハの表面形状の変化を敏感に捉えることができ、シリコンウエーハの表面近傍の結晶品質の評価を可能とするシリコンウエーハの評価方法を提供する。【構成】 シリコンウエーハ上の複数の測定点における基準面からの高さxi(i=1,2,...,N)をAFM(Atomic Force Microscope)を用いて測定し、下記数式を表す。)で表される自己相関関数Rjを求め、該自己相関関数Rjの中から相関の強い値を任意の数だけ選定し、Rj=0の点と該選定した相関の強いRjの点との距離とから、前記シリコンウエーハ上のマイクロラフネスを解析する。

請求項（抜粋）：

シリコンウエーハ主面上の複数の測定点における基準面からの高さxi(i=1,2,...,N)を原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope、以下「AFM」と言う。)を用いて測定し、下記数式【数式1】【数式2】を表す。)で表される自己相関関数Rjを求め、該自己相関関数Rjの中から相関の強い値を任意の数だけ選定し、Rj=0の点と該選定した相関の強いRjの点までの距離とから、前記シリコンウエーハ上のマイクロラフネスを解析することにより、シリコンウエーハの結晶品質を評価することを特徴とするシリコンウエーハの評価方法。