特許

J-GLOBAL ID：200903038077668058

電界放出素子及びその製造方法

発明者： 伊藤 茂生 ,  山田 公
出願人/特許権者： 双葉電子工業株式会社
代理人 (1件)： 西村 教光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-044331
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236731
出願日： 1993年02月10日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【目的】 良好な再現性・均一性で単結晶のエミッタを簡単に形成する。【構成】 (a)Siからなる基板1上に絶縁層2とゲート3を積層する。(c)フォトリソグラフィとエッチングにより、絶縁層とゲートに孔5を形成する。(d)ゲート上にAlの剥離層6を形成する。(e)ICB蒸着により孔内の基板上にMoを被着する。Moはエピタキシャル膜として成長し、単結晶のエミッタ7が得られる。

請求項（抜粋）：

基板上にエミッタとゲートを有する電界放出素子の製造方法において、前記エミッタの少なくとも先端の電子放出部を、金属又は半導体からなる単結晶又は少なくとも前記基板に垂直な方向に優先配向した多結晶となるように、蒸着法によって形成したことを特徴とする電界放出素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01J 9/02 ,  H01J 1/30

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-149351
  
• 特開昭61-214510
  
• 特開平3-225725