特許
J-GLOBAL ID:200903038083098085
半導体集積回路装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-099263
公開番号(公開出願番号):特開2009-158987
出願日: 2009年04月15日
公開日(公表日): 2009年07月16日
要約:
【課題】複数層の埋め込み配線を有する半導体集積回路装置において、埋め込み配線と底部にて接続するプラグとその埋め込み配線との界面でのストレスマイグレーションによる導通不良を防ぐ。【解決手段】たとえば、Cu配線33Wの幅が約0.9μm以上かつ約1.44μm未満であり、Cu配線43の幅およびプラグ43Pの径が約0.18μmである場合において、Cu配線33W上にてCu配線33WとCu配線43とを電気的に接続するプラグ43Pを2個以上配置する。【選択図】図18
請求項(抜粋):
半導体基板上に形成された第1層間絶縁膜と、
前記第1層間絶縁膜に形成され、且つ、第1方向に延在する第1配線溝および第3配線溝と、
前記第1配線溝の内部および前記第3配線溝の内部に、第1導体膜が埋め込まれて形成された第1配線および第3配線と、
前記第1層間絶縁膜上、前記第1配線上および前記第3配線上に形成され、且つ、前記第1配線および前記第3配線と接するように形成された第1キャップ絶縁膜と、
前記第1キャップ絶縁膜上に形成された第2層間絶縁膜と、
前記第2層間絶縁膜に形成され、且つ、前記第1方向と直交する第2方向に延在する第2配線溝と、
前記第1キャップ絶縁膜および前記第2層間絶縁膜に形成され、且つ、前記第1配線と前記第2配線溝とを接続する第1孔部および前記第3配線と前記第2配線溝とを接続する第2孔部と、
前記第2配線溝の内部、前記第1孔部の内部および前記第2孔部の内部に第2導体膜が埋め込まれて一体化形成された第2配線、第1プラグおよび第2プラグと、
を有する半導体集積回路装置であって、
前記第1導体膜および前記第2導体膜は、メッキ法によって形成された銅を主成分とする膜を含んで形成されており、
前記第1キャップ絶縁膜は、前記第2層間絶縁膜中に銅の拡散を防止する機能を備えた膜であり、
前記第2方向において、前記第1配線は前記第3配線に近い一方の端部と、前記第3配線から遠い他方の端部とを有し、
前記第1プラグの径は、前記第1方向および前記第2方向における長さが等しく、
前記第2プラグの径は、前記第1方向および前記第2方向における長さが等しく、
前記第2方向において、前記第1プラグは、前記第1プラグの中心から前記第1配線の前記一方の端部までの距離が前記第1プラグの径の1/2以内である第1距離となるように配置されており、且つ、前記第1プラグの中心から前記第1配線の前記他方の端部までの距離が、前記第1距離よりも長い第2距離となるように配置されており、
前記第2方向において、前記第3配線は前記第1配線に近い一方の端部と、前記第1配線から遠い他方の端部とを有し、
前記第2方向において、前記第2プラグは、前記第2プラグの中心から前記第3配線の前記一方の端部までの距離が前記第2プラグの径の1/2以内である第3距離となるように配置されており、且つ、前記第2プラグの中心から前記第3配線の前記他方の端部までの距離が、前記第3距離よりも長い第4距離となるように配置されており、
前記第2配線の前記第1方向における幅は、前記第1プラグが1つのみ配置可能な幅であり、
前記第1配線の前記第2方向における幅は、前記第2配線の前記第1方向における前記幅よりも大きいことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (4件):
H01L 21/768
, H01L 21/320
, H01L 23/52
, H01L 21/28
FI (3件):
H01L21/90 A
, H01L21/88 M
, H01L21/28 301R
Fターム (93件):
4M104AA01
, 4M104BB01
, 4M104BB30
, 4M104BB40
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD02
, 4M104DD08
, 4M104DD16
, 4M104DD17
, 4M104DD37
, 4M104DD43
, 4M104DD72
, 4M104DD75
, 4M104DD78
, 4M104DD84
, 4M104EE09
, 4M104FF14
, 4M104FF22
, 4M104GG09
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, 4M104GG14
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, 5F033XX06
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