特許

J-GLOBAL ID：200903038083237921

半導体装置

発明者： 伊藤 豊
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-043007
公開番号（公開出願番号）：特開2002-245777
出願日： 2001年02月20日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】 簡単な構成で高信頼で大記憶容量化を実現し、使い勝手のよい半導体装置を提供する。【解決手段】 第1及び第2電極を有する容量と、複数のワード線のうちの対応するワード線に接続された制御端子と上記第1電極及び複数のビット線のうちの対応するビット線との間に接続された電流経路とを有するスイッチ素子とを有するメモリセルの複数を1つの半導体基板上に含み、上記半導体装置が第1モードであるときに上記ワード線線のオフ電位を第1電位とし、第2モードであるときに上記ワード線線のオフ電位を第2電位とし、上記スイッチ素子の電流経路を上記半導体基板に垂直な方向の構造のものとする。

請求項（抜粋）：

複数のワード線と、複数のビット線と、第1及び第2電極を有する容量と、上記複数のワード線のうちの対応するワード線に接続された制御端子と上記第1電極及び上記複数のビット線のうちの対応するビット線との間に接続された電流経路とを有するスイッチ素子とを有するメモリセルの複数とを1つの半導体基板上に含む半導体装置であって、上記半導体装置が第1モードであるとき、上記ワード線線のオフ電位は第1電位であり、上記半導体装置が第2モードであるとき、上記ワード線線のオフ電位は第2電位であり、上記スイッチ素子の電流経路は、上記半導体基板に垂直な方向であることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

G11C 11/404 ,  G11C 11/405 ,  G11C 11/407 ,  G11C 11/406 ,  G11C 11/401 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (7件)：

G11C 11/34 352 C ,  G11C 11/34 352 B ,  G11C 11/34 354 D ,  G11C 11/34 363 Z ,  G11C 11/34 371 K ,  H01L 27/10 625 A ,  H01L 27/10 671 A

Fターム (27件)：

5F083AD06 ,  5F083AD17 ,  5F083AD69 ,  5F083GA06 ,  5F083GA25 ,  5F083HA02 ,  5M024AA40 ,  5M024AA70 ,  5M024AA90 ,  5M024CC02 ,  5M024CC20 ,  5M024CC22 ,  5M024CC64 ,  5M024CC82 ,  5M024EE10 ,  5M024FF05 ,  5M024GG05 ,  5M024HH01 ,  5M024LL04 ,  5M024LL05 ,  5M024LL11 ,  5M024LL20 ,  5M024PP01 ,  5M024PP03 ,  5M024PP04 ,  5M024PP05 ,  5M024PP07