特許

J-GLOBAL ID：200903038084212922

エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置

発明者： 宗 顕一
出願人/特許権者： 東芝ケミカル株式会社
代理人 (1件)： 諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-018360
公開番号（公開出願番号）：特開平9-188803
出願日： 1996年01月09日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：

【要約】【課題】 耐湿性、半田耐熱性、薄肉部の充填性、耐金型摩耗性に優れ、熱膨張係数が小さく、熱伝導率大で熱放散性がよいエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置を提供するものである。【解決手段】 (A)連鎖結合のメチレン基の水素原子をグリシジルオキシアリール基で置換したノボラック型エポキシ樹脂、(B)ビフェニル骨格を含むフェノール樹脂(C)メチルメタクリレート・ブタジエン・スチレン共重合樹脂および(D)Si O2 層による表面酸素濃度が 0.5〜15%で、平均粒径が10〜50μm の窒化ケイ素粉末を必須成分とし、組成物に対して前記(D)窒化ケイ素粉末を25〜90重量%の割合で含有してなるエポキシ樹脂組成物であり、このエポキシ樹脂組成物の硬化物によって、半導体チップが封止されてなる半導体封止装置である。

請求項（抜粋）：

(A)次の一般式に示されるエポキシ樹脂、【化1】(但し、式中R1 はCj H2j+1基を、R2 はCk H2k+1基を、R3 はCl H2l+1基をR4 はCm H2m+1基をそれぞれ表し、各基におけるj 、k 、l 及びm 、並びにn は0 又は1 以上の整数を表す)(B)次の一般式に示されるフェノール樹脂、【化2】(但し、式中R5 はCp H2p+1基を、R6 はCq H2q+1基をそれぞれ表し、各基におけるp 及びq 、並びにn は0 又は1 以上の整数を表す)(C)メチルメタクリレート・ブタジエン・スチレン共重合樹脂および(D)Si O2 層による表面酸素濃度が 0.5〜15%で、平均粒径が10〜50μm の窒化ケイ素粉末を必須成分とし、全体の樹脂組成物に対して前記(D)の窒化ケイ素粉末を25〜90重量%の割合で含有してなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。

IPC (9件)：

C08L 63/04 NJS ,  C08L 63/04 NJN ,  C08K 5/54 LMY ,  C08L 25/10 LEA ,  C08L 33/12 LJA ,  C08L 47/00 LKF ,  C08L 61/04 LNB ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (8件)：

C08L 63/04 NJS ,  C08L 63/04 NJN ,  C08K 5/54 LMY ,  C08L 25/10 LEA ,  C08L 33/12 LJA ,  C08L 47/00 LKF ,  C08L 61/04 LNB ,  H01L 23/30 R