特許
J-GLOBAL ID：200903038085359145
光起電力素子の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-092690
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302922
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、チャンバー壁面に吸着または含まれている不純物の取り込みが実質的に起こらず、且つ安定した放電が得られる水素プラズマ処理方法を用いることにより、高特性な光起電力素子が製造可能な光起電力素子の形成方法を提供することを目的とする。【構成】 基板上に、シリコン原子を含有する非単結晶n型層,非単結晶i型のn/iバッファー層、非単結晶i型層,非単結晶i型のp/iバッファー層及び非単結晶p型層を積層して成るpin構造を、少なくとも2構成以上積層した起電力素子の形成方法において、前記p型層と前記n型層の接する基板表面を、実質的に堆積しない程度のシリコン原子含有ガスと周期律表第III族元素含有ガスとを含有する水素ガスでプラズマ処理を行う事を特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に、シリコン原子を含有する非単結晶n型層(またはp型層)、非単結晶i型のn/iバッファー層(またはp/iバッファー層)、非単結晶i型層、非単結晶i型のp/iバッファー層(またはn/iバッファー層)及び非単結晶p型層(またはn型層)を積層して成るpin構造を、少なくとも2構成以上積層した光起電力素子の形成方法において、前記p型層と前記n型層の接する界面近傍を、実質的に堆積しない程度のシリコン原子含有ガスと周期律表第III族元素含有ガスとを含有する水素ガスでプラズマ処理する事を特徴とする光起電力素子の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 W
, H01L 31/04 B
