特許
J-GLOBAL ID：200903038089289842
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-277895
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121560
出願日： 1991年10月24日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 多層配線を有する半導体装置において、有機SOG膜を含む層間絶縁膜にあけた接続孔の内壁に有機SOG膜が露出しないようにした製造方法を提供する。【構成】 下層配線2を形成した後、プラズマ酸化膜3および有機SOG膜4よりなる層間絶縁膜を形成し、接続孔を形成すべき有機SOG膜の部分に開口を形成した後、無機SOG膜6を堆積し、この無機SOG膜およびプラズマ酸化膜を選択的にエッチングして接続孔7を形成する。接続孔の部分では、有機SOG膜は無機SOG膜によって被覆されているので、酸素プラズマに晒されず、クラックの発生や脱ガスを抑止でき、良好な導電性を有する接続部を形成できる。
請求項（抜粋）：
半導体基体の表面に所要のパターンを有する下層配線を形成する工程と、下層配線を形成した半導体基体の上に、有機材料系絶縁膜を主体とする層間絶縁膜を形成する工程と、この有機材料系絶縁膜の、接続孔を形成すべき部分に開口を形成する工程と、前記有機材料系絶縁膜の上に無機材料系絶縁膜を形成する工程と、前記無機材料系絶縁膜に、前記有機材料系絶縁膜が露出することがないようにして接続孔を形成する工程と、この接続孔に埋め込まれて前記下層配線に接続される上層配線を形成する工程とを具えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/90
, H01L 21/302
, H01L 21/3205
