特許
J-GLOBAL ID：200903038090918306
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-052663
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211235
出願日： 1991年03月18日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】 少しの衝撃や取扱いの僅かな不注意でウエハが破損することを防止し、製造歩留りを向上させる。【構成】 半導体回路1’を形成したウエハ1の表面に所定の深さの切込み3を形成した後、この所定の深さの切込み3を形成したウエハ1の表面に保護用シート4を貼り、ウエハ1の裏面を切込み3に達するまで研削してウエハ1を複数個の半導体素子6に分離する。これにより、従来のような直径が大きく、かつ厚みの薄いウエハを取り扱う工程をなくす。
請求項（抜粋）：
表面に半導体回路を形成したウエハの表面に所定の深さの切込みを形成する工程と、この所定の深さの切込みを形成したウエハの表面に第1保護用シートを貼る工程と、前記ウエハの裏面を前記切込みに達するまで研削して前記ウエハを複数個の半導体素子に分離する工程と、この複数個に分離した半導体素子の裏面に第2保護用シートを貼る工程と、前記第1保護用シートを剥離する工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/78
, H01L 21/304 331
