特許
J-GLOBAL ID:200903038094873722

走査型露光方法及び半導体デバイスの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宮川 貞二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-041150
公開番号(公開出願番号):特開平11-233422
出願日: 1998年02月06日
公開日(公表日): 1999年08月27日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 基板の周辺で走査方向を外から内へも行い、かつ合焦に問題のない走査型露光方法と該方法を用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 レチクルRのパターンを投影光学系PLを介して基板W上に転写する走査型露光方法である。基板W上の第1の領域内における基板表面の投影光学系PLの光軸方向の位置の検出により投影光学系の合焦を行い、第1の領域について基板Wの内から外に向けて走査露光すると共に、基板表面の光軸方向の位置を保存する。第1領域に隣接する第2領域を走査露光する際、投影光学系を保存した光軸方向の位置に合焦した状態から、第2領域内の基板表面の投影光学系PLの光軸方向の位置検出と、投影光学系の合焦を開始し、第2領域について基板Wの外から内に向けて走査露光する。基板の内から外への走査ショットの情報から次ショットを始め基板を外から内へ走査するので、合焦時間が短い。
請求項(抜粋):
レチクルと感応基板とを投影光学系に対して所定の走査方向に相対移動しつつ、前記レチクルに形成されたパターンを投影光学系を介して前記感応基板上に逐次転写する走査型露光方法において;前記感応基板上の第1の領域内の検出点における前記基板表面の前記投影光学系の光軸方向の位置を検出することにより前記投影光学系の合焦を行いつつ、該第1の領域について前記基板の内から外に向けて走査露光する工程と;前記第1の領域の走査露光中に、所定の検出点における前記基板表面の前記光軸方向の位置を保存する保存工程と;前記第1の領域に隣接する第2の領域を走査露光するに際して、前記投影光学系を前記保存した光軸方向の位置に合焦した状態から、前記第2の領域内の検出点における前記基板表面の前記投影光学系の光軸方向の位置の検出とその検出に基づく前記投影光学系の合焦を開始し、該第2の領域について前記基板の外から内に向けて走査露光する工程とを備える;走査型露光方法。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521
FI (4件):
H01L 21/30 518 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 516 B ,  H01L 21/30 526 A

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