特許

J-GLOBAL ID：200903038099318972

疎水性シリコンウエハの洗浄方法

発明者： サイード・ピローズ ,  ラリー・ダブリュー・シャイブ
出願人/特許権者： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-331648
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236495
出願日： 1995年12月20日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【課題】 疎水性シリコンウエハの洗浄方法を提供する。【解決手段】 不均一にシリコンウエハ表面をエッチングすることなく、該表面に酸化物層を成長させるためにウエハの疎水性表面を化学的に酸化することによってシリコンウエハの疎水性表面から粒子を洗浄する方法であり、該酸化物層は該表面を親水性にし、次に、該親水性表面を苛性エッチング溶液で洗浄して、該表面から粒子を除去する洗浄方法。

請求項（抜粋）：

シリコンウエハの疎水性表面から粒子を洗浄する方法であって、該表面を不均一にエッチングすることなく、該表面に酸化物層を成長させるためにウエハの疎水性表面を化学的に酸化し、該酸化物層が該表面を親水性にする;苛性エッチング溶液で親水性表面を洗浄して、該表面から粒子を除去する;ことから成る洗浄方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/308

FI (3件)：

H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/308 G