半導体基板の製造方法及び半導体基板

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-070441
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270801
出願日： 2001年03月13日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】高濃度に不純物の添加された第1の半導体基板101に形成する第2のエピタキシャル成長層105の不純物濃度を均一に制御する。【解決手段】第1の半導体基板101を用意する(a)。第1の半導体基板101の表面に多孔質層102を形成する(b)。多孔質層102上に非多孔質単結晶シリコン層103を形成する(c)。第1の半導体基板101の裏面にバックシール膜104を形成する(d)。非多孔質単結晶シリコン層103上に、エピタキシャル成長層105を形成する(e)。エピタキシャル成長層105に第2の半導体基板106を絶縁物層107を介して貼り合わせる(f)。多孔質層102を露出させる。残りの不要な多孔質層102を除去する(g)。非多孔質単結晶シリコン層103の表面を平滑化する(i)。

請求項（抜粋）：

基板の一方の面に形成している多孔質層上に第1単結晶層を形成した状態で、該基板の他方の面にバックシール膜を形成し、それから、前記第1単結晶層上に第2単結晶層を形成することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/20 , H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 27/12 B , H01L 21/02 B , H01L 21/20 , H01L 21/205

Fターム (25件)：

5F045AA03 , 5F045AA06 , 5F045AA08 , 5F045AA11 , 5F045AA19 , 5F045AA20 , 5F045AB02 , 5F045AB03 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC05 , 5F045AD13 , 5F045AE25 , 5F045AF01 , 5F045AF03 , 5F045BB04 , 5F045CA05 , 5F045EB13 , 5F045EB15 , 5F045GH08 , 5F045HA01 , 5F045HA04 , 5F045HA14 , 5F045HA16 , 5F052KB04

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