特許
J-GLOBAL ID：200903038103957381
不揮発性半導体メモリ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-071918
公開番号（公開出願番号）：特開平8-273383
出願日： 1995年03月29日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】 メモリセルに対して情報の書込みや消去を行う際の誤動作を防止するとともに、レイアウト面積を縮小化し、さらにCPUの負担を軽減する。【構成】 メモリセルに対して、書込み及び書込みベリファイの各動作を順次実行し、或はプレライト、消去及び消去ベリファイの各動作を順次実行するように制御する書込み・消去制御手段30を内蔵した。また、位相が180度異なる2相の基準クロック信号SYSC0 ,SYSC1 を生成する基準クロック生成回路20を設け、その基準クロック信号SYSC0 ,SYSC1 により書込み・消去制御手段30を駆動するとともに、基準クロック信号SYSC0 ,SYSC1 を動作タイミングの基準として各動作をシーケンシャルに実行させる。【効果】 書込みまたは消去の外部開始命令が入力されると、書込み及び書込みベリファイの各動作、或はプレライト、消去及び消去ベリファイの各動作が順次自動的に実行され、CPUの負担が軽減されるとともに、各動作が誤動作することなく実行される。さらに、レイアウト面積も縮小される。
請求項（抜粋）：
電気的な書込み情報により書込み可能な不揮発性記憶素子と、該不揮発性記憶素子に対する書込み動作を実行した後にその書込み結果を確認する書込みベリファイ動作を実行するように制御する書込み制御手段とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 510 A
, G11C 17/00 530 A
