特許

J-GLOBAL ID：200903038105037999

化学機械平坦化用の研磨パッド

発明者： ヴィシュウォナサン,アラン ,  ジェームズ,デービッド・ビー ,  クック,リー・メルボルン ,  バーク, ピーター・エー ,  シドナー,デービッド ,  ソォー,ヨセフ・ケー ,  ロバーツ,ジョン・ブイ・エイチ
出願人/特許権者： ロデール ホールディングス インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 津国 肇 ,  篠田 文雄 ,  束田 幸四郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-587968
公開番号（公開出願番号）：特表2004-507076
出願日： 2001年05月24日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

半導体デバイス又は前駆体の表面を研磨するための、及び半導体ウェハ上の金属ダマシン構造を平坦化するための研磨パッド及び研磨方法であり、パッドの研磨層は、約40〜70ショアDの硬度、約100〜2,000MPaの40°Cでの引張弾性率、及び約1〜5の30°C-90°CでのE′の比を有する。約25°Cの周囲温度でパッドを脱イオン水に24時間浸漬したとき、パッドの各線寸法は約1%未満変化し、パッドの硬度は約30%未満減少する。

請求項（抜粋）：

表面を平坦化するための研磨層が、約1〜3.6の30°C-90°CでのE′の比を有することを特徴とする、半導体デバイス又はその前駆体の表面を平坦化するための研磨パッド。

IPC (2件)：

H01L21/304 ,  B24B37/00

FI (2件)：

H01L21/304 622F ,  B24B37/00 C

Fターム (5件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA17