特許

J-GLOBAL ID：200903038105755670

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： 谷口 明久
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-013067
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232152
出願日： 1993年01月29日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 電界効果トランジスタおいて、ゲート直列抵抗を増加させることなく高周波特性の向上を目指す。【構成】 ウエハ1上に、ゲート絶縁膜2,サイドウォール5に囲まれたポリシリコンからなる疑似ゲート電極8を形成し、これを選択的に除去した後、Al等の低抵抗金属からなる断面T字型のゲート電極30を形成する。【効果】 ゲート長が狭く、かつ直列抵抗が低く、高周波特性の良好な半導体装置を安価に得られる。

請求項（抜粋）：

基板上に絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、該ゲート電極下方のチャネル領域両側に形成された低濃度不純物拡散領域、及びこれに続いて形成された高濃度不純物拡散領域とを備えた電界効果トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜上に形成され、その側面に絶縁膜からなるサイドウォールを有する断面T字型のゲート電極と、上記サイドウォール側面に形成され、上記低濃度不純物拡散領域と接する不純物拡散層とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 301 G