特許

J-GLOBAL ID：200903038110182620

半導体レーザーアレイ装置

発明者： 實野 孝久 ,  神前 康次 ,  中塚 正大 ,  中井 貞雄
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-165737
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017268
出願日： 1997年06月23日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】 高出力且つ高輝度の半導体レーザー光を発生させて、それを効率よく集光させることのできる、小型、且つ高電気-光変換効率な、新しい半導体レーザーアレイ装置を提供する。【解決手段】複数の半導体レーザーにより構成された半導体レーザーアレイと、この半導体レーザーアレイのレーザー光出力側に設けられたマイクロレンズアレイと、このマイクロレンズアレイの出力側に設けられた集光レンズとを備えた装置であって、半導体レーザーアレイの各半導体レーザーの活性層の幅が集光に必要な幅を有しており、各半導体レーザーからの出力レーザー光がマイクロレンズアレイによりコリメートされて集光レンズに照射され、この集光レンズによりコリメートレーザー光が集光される。

請求項（抜粋）：

複数の半導体レーザーにより構成された半導体レーザーアレイと、この半導体レーザーアレイのレーザー光出力側に設けられたマイクロレンズアレイと、このマイクロレンズアレイの出力側に設けられた集光レンズとを備えた装置であって、半導体レーザーアレイの各半導体レーザーの活性層の幅が集光に必要な幅を有しており、各半導体レーザーからの出力レーザー光がマイクロレンズアレイによりコリメートされて集光レンズに照射され、この集光レンズによりコリメートレーザー光が集光されることを特徴とする半導体レーザーアレイ装置。