特許

J-GLOBAL ID：200903038114410317

半導体記憶装置

発明者： 中島 繁 ,  下里 健 ,  矢城 香寿里 ,  古野 毅
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-296075
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130190
出願日： 1993年11月01日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 ダミーセルを備えるEEPROM等の動作マージンを拡大し、そのリテンションテストに要する時間を短縮する。これにより、EEPROM等の動作を安定化し、その低コスト化を推進する。【構成】 ダミーセルDcを備えるEEPROM等に、ダミーセル書き込み回路DWを設け、ダミーセルDcに対する実質的な書き込み信号量を選択的に切り換えて、その実質的なしきい値電圧を外部から意図的に切り換えうるものとする。これにより、製造プロセス等の影響を受けてダミーセルDcのしきい値電圧が変動した場合には、外部からしきい値電圧の値を切り換え、所望の値に修正する。また、リテンションテスト時には、ダミーセルDcのしきい値電圧を強制的に偏ったものとし、リテンションテストに要する時間を短縮する。

請求項（抜粋）：

不揮発性のメモリセルが格子状に配置されてなるメモリアレイと、所定の参照電圧を形成するために供される不揮発性のダミーセルと、上記参照電圧と指定されたメモリセルの読み出し信号とを受ける差動増幅回路を含むセンスアンプとを具備し、上記ダミーセルの実質的なしきい値電圧を外部から選択的に切り換えうることを特徴とする半導体記憶装置。