特許
J-GLOBAL ID：200903038117412574
パワー半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-280118
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129797
出願日： 1995年10月27日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】複数の内部平板導電リード端子を備えた樹脂封止型パワー半導体装置の、熱応力による絶縁基板の割れを防止する。【解決手段】内部平板導電リード端子のS字型ベンド部のリード幅をリード端子直線部より大きくし、その厚さを薄くし、実質的にリード端子直線部と同じ導電容量を有する形状とする。
請求項（抜粋）：
外部樹脂パッケージ材と絶縁基板と核絶縁基板の上に積層した導電パターンと該導電パターンに接続された内部平板導電リード端子とを備えた樹脂封止型パワー半導体装置において、該内部平板導電リード端子がS字型ベンド形状部を備え、該S字型ベンド形状部が前記内部平板導電リード端子のリード端子直線部より厚さが薄くかつ幅広で、前記リード端子直線部と実質的に同等の導電容量を有する平板リード形状であることを特徴とする樹脂封止型パワー半導体装置。
FI (2件)：
H01L 23/48 G
, H01L 23/48 P
